糖结晶：具有高级过程控制的目标CV和MA
产生良好的质量糖依赖于晶体的生长，过饱和是这种生长的推动力。结晶速度取决于几个参数的多变量方程。过饱和度定义为在溶液中与在相同温度下饱和溶液所需的糖的比率。
过饱和具有最佳范围，其中糖晶体均匀均匀地生长，达到所需的晶体尺寸。
在此范围之外，晶体将停止生长，甚至可能融化或开始自发形成新的晶体，从而产生需要重新处理的罚款和砾岩，因为它们根本无法从酒中收集。
重新处理是一个主要问题，因为它消耗了时间和能源，增加了生产成本，蒸汽和水的消耗，并降低了生产糖的有效产量。
Vaisala与Zutora在其中考虑所有必需参数的情况下，可以计算真正的过饱和值。
准确的过饱和值需要以下测量值：
- 使用数字内联过程折光仪，浓度控制，
- 绝对压力控制，
- 水平控制
- 和微波密度计。