CMP的过氧化物混合分配

化学机械抛光（或平面化）是至关重要的，非常昂贵且具有挑战性的纳米抛光过程，将化学反应和机械磨损结合在一起。

抛光是用包括氧化剂（通常是过氧化氢H2O2）的浆液进行的。使用前，CMP浆液在植物前混合或稀释。正确的混合是必不可少的，因为它与化学反应速率和晶圆抛光速率直接相关。

过氧化物混合和分配在CMP

使用VAISALA K-PATENTS®分号折光仪来测量CMP浆液的浓度对于在不表面刮擦而无需表面刮擦的情况下实现适当的CMP性能至关重要。
VaisalaK-PATENTS® semicon refractometer:

• 是混合站的可集成过程计量设备。
• Measures accurately the H2O2 concentration of raw slurry and mixed slurry.
• 是用于合格CMP浆料组合物的连续，快速，准确和在线设备。

Vaisala’s application note explains how a semicon refractometer can improve process with recommended installation points for best performance.

通过填写表格下载申请注（PDF）。

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