硅蚀刻
由于蚀刻溶液的温度和浓度对湿蚀率的速率产生了重大影响，因此可以优化各种蚀刻过程，并在已知蚀刻浓度时确定蚀刻端点。例如，当加热KOH/H2O溶液的组成使用VAISALA K-PATENTS®分号折射仪连续监测加热的KOH/H2O溶液的组成时，可以优化氢氧化钾。随着蚀刻的进展，在此过程中消耗了一些KOH（即OHION），需要更换新鲜的蚀刻剂。
硅的koh蚀刻；
使用Vaisala k-patents半子折光仪，Fabs可以：
- 实时监视KOH蚀刻浴的浓度，并确定正确的蚀刻端点。
- 在某些情况下，可以显着延长KOH Etch Bath Life，使浴室寿命翻了一番。
- 延长蚀刻剂的使用，最大程度地减少化学废物。
Vaisala的申请说明解释了半折射仪如何使用建议的安装点可以改善过程，以获得最佳性能。
溶解的硅酸盐增加了浓度读数。申请说明还解释了如何通过简单的平衡计算来补偿此偏移，而无需引入任何额外的测量。
通过填写表格下载申请注（PDF）。
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