FAB化学过程监测和故障检测

半导体制造过程中的芯片质量通常定义为降低目标周围的变异性,换句话说,下部指定限制之间的分布集效果很好。对质量至关重要(CTQ)至关重要,并且符合客户需求也起着重要作用。制造业的变异性过高迅速转向产品质量问题。为了确保稳定的良好产品向市场提供,需要彻底的质量指标和过程控制。产品质量和制造业的一个重要部分是化学。半导体晶圆植物在整个工厂过程中消耗大量化学物质。每个过程的可重复性和可重复性是Fabs的最大关注点,即使是规格的最小偏差也可能导致昂贵的设备污染和晶圆废料。

过程监视和故障检测

从化学的角度来看,有两个与产品质量直接相关的不同操作:过程监测和故障检测。在过程监测应用中,必须随着时间的推移维持所需的化学反应。在故障检测应用中,系统必须验证正确的化学物质正在分配到该过程中。通过准确的监测,Fabs知道每个给定的化学流的组成。在不进行监测的情况下,晶片成为事实上的化学监测器。到那时,晶片已经丢失,可能已经发生了大规模的设备污染。

VAISALA KPATENTENT®分号折光仪提供实时液体监测,并防止错误的化学浓度被分配到晶片上,表明尖峰的时机,例如对于EKC中的水,在蚀刻后残留的去除中,并指示硅蚀刻中的沐浴寿命和KOH浓度。完全集成的半子折光仪支持智能晶圆厂和自我诊断。

在Fab化学过程监测和故障检测中的应用

VAISALA为湿化学浓度测量值提供在线,实时,可靠,精确和具有成本效益的计量学测量值,这些测量可以取代用于Fab化学过程监测和故障检测以及CMP浆料的组成和浓度控制中的昂贵且复杂的分析仪。

散装化学输送

传入化学物质的质量检测,例如:HF,IPA,DHF,H2o2,hno3,HCI,KOH,NAOH,NH4哦。

半导体湿化学物质

在湿板凳或湿法过程中硅晶片制造过程中湿化学物质的实时浓度监测。

硅蚀刻

KOH浴浓度监测,以确定正确的蚀刻端点。

白皮书

传入的新鲜和废水花费的CMP浆液的分析表征的在线折射率

在线折射率(RI)测量是符合CMP浆液中过氧化氢含量的首选技术。但是,过氧化物含量并不是唯一感兴趣的浆料度量指标。通常,浆液以浓缩形式从制造商传递,然后用水和过氧化物稀释。尽管浆液密度是CMP性能的关键参数,但传入密度可能因批量而异。

在线折射率取代了钨CMP中的合格H₂O₂浓度

折射率的测量已确立为钨CMP中含有过氧化物含量的合格过氧化物含量的首选技术。许多新兴过程流动使用CMP作为建筑电路结构的关键工具,大大增加了CMP步骤的数量,因此如果浆料组合偏离规范,则可能会损失产量的机会。虽然自动互动测量可以给出极为准确的结果,但它们施加了大型的资本设备和持续的维护成本,并且仅在指定的间隔内提供离散的采样。折射率是一种连续的,无弹性的量测量,可帮助Fab快速识别浆料组成故障,从而减少了有风险的晶片数量。

CMP浆液故障检测的在线折射率监测

内联折射率测量已确定为检测CMP浆料混合物中的故障和领先晶圆厂的分配系统的首选技术。折射率是一种连续的,非采样测量,可帮助Fab迅速识别浆料成分变化。

一旦对特定的浆液温度/折射率特征进行了校准,折射率的测量值可以确定浆液中过氧化氢的浓度,对于铜和钨浆,精确度为±0.02%以内±0.02%。在该领先晶圆厂的长期研究中,低节点技术CMP工艺的测量可靠地检测到三年的浆料组合物,没有仪器维护,除了常规的浆液搅拌机罐的潮红外。

半导体制造化学耗材中的原位化学监测

化学供应商已将化学品质留给化学质量。半导体制造商具有非常有限或没有能力检测供应商的过程化学问题的问题。已经发现,无论原因,机械或人类,产品都会暴露于任何传入的化学变化。实际上,可以说该产品被用作化学物质的监测方法。本文将讨论各种不同的监测方法。建议为各种半导体化学的经济效率应用提供最佳实践。解决总体问题的解决方案不是单个设备或方案,而是一组设备以及化学分配区域基本思维的改变。还将讨论支持数据和其他相关的实验结果,以支持和加强发现。

博客,网络研讨会和成功案例

为什么Vaisala是许多半导体制造植物的首选供应商

半导体制造过程中的芯片质量通常定义为降低目标周围的变异性,换句话说,下部指定限制之间的分布集效果很好。对质量至关重要(CTQ)至关重要,并且符合客户需求也起着重要作用。制造业的变异性过高迅速转向产品质量问题。

为了确保稳定的良好产品向市场提供,需要彻底的质量指标和过程控制。产品质量和制造业的一个重要部分是化学。半导体晶圆植物在整个工厂过程中消耗大量化学物质。每个过程的可重复性和可重复性是Fabs的最大关注点,即使是规格的最小偏差也可能导致昂贵的设备污染和晶圆废料。

液体浓度测量

Vaisala提供了针对不同行业的液体测量需求量身定制的广泛产品。了解有关折射仪技术及其应用的更多信息,并访问与产品相关资产库。